Magneto Resistencia Ordinaria en punta Hall de InAs.
La magnetorresistencia es el cambio de resistencia eléctrica de un material inmerso en un campo magnético. En este trabajo se midió el efecto de magnetoresistencia ordinaria (MRO) en una punta Hall de InAs en varios campos magnéticos: terrestre, 200±10mT, y 340±10mT. Se midió un cambio de resistencia máximo de ∆R = 0.26Ω con el campo H más grande (12% del valor inicial).
Este efecto es interesante, ya que con frecuencia se investiga el efecto Hall sin considerar que el efecto de MRO ocurre simultáneamente. También es un efecto medible con equipo de laboratorio de docencia, que puede dar paso a investigaciones de efectos magnetoresistivos más complejos, con aplicaciones tecnológicas como discos duros, memorias RAM,o biosensores.
Interferómetro homodino/heterodino para experimentos de Opto-Mecánica Cuántica Área: Información Cuántica La opto mecánica cuántica permite estudiar sistemas cuánticos “realmente” macroscópicos a través del diseño y fabricación Ver más
Obtención de hidrógeno mediante una descarga de barrera dieléctrica atmosférica a partir de hidrocarburos de peso molecular intermedio. Área: Física de Plasmas En este trabajo proponemos Ver más
Banco de pruebas de sensores CCD de calidad científica en el Laboratorio de Detectores del ICN UNAM Resumen Los experimentos DAMIC (Dark Matter In CCDs) Ver más
Una estrella más cercana parece, evidentemente, más brillante. Así que si desconocemos la distancia, el brillo puede ser engañoso. Hay estrellas tímidas que están cerca Ver más