Magneto Resistencia Ordinaria en punta Hall de InAs.
La magnetorresistencia es el cambio de resistencia eléctrica de un material inmerso en un campo magnético. En este trabajo se midió el efecto de magnetoresistencia ordinaria (MRO) en una punta Hall de InAs en varios campos magnéticos: terrestre, 200±10mT, y 340±10mT. Se midió un cambio de resistencia máximo de ∆R = 0.26Ω con el campo H más grande (12% del valor inicial).
Este efecto es interesante, ya que con frecuencia se investiga el efecto Hall sin considerar que el efecto de MRO ocurre simultáneamente. También es un efecto medible con equipo de laboratorio de docencia, que puede dar paso a investigaciones de efectos magnetoresistivos más complejos, con aplicaciones tecnológicas como discos duros, memorias RAM,o biosensores.
Autores:
Pérez Lobato Guillermo Alejandro
Cuevas Guzmán Alan Isaí
Andrade Herrera Jorge
Hernández González Edna Magdalena
Estructura espectroscópica del núcleo atómico
Miguel Angel Segura Ramírez
Superficies de forma libre | Retos para la óptica
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